The electronic properties (work function, surface band bending, density of electronic states near Fermi level) of the Ge(100)-(2x1) surface were investigated using electron spectroscopy methods during adsorption of Sb atoms on it. It is shown, that on the beginning stages of Sb atoms adsorption onto Ge(100)-(2x1) surface (Osb < 0.5 ML) [...] and during annealing of Ge(lOO) surface with several monolayers of Sb on it, the change of band bending with simultaneous change of work function value can be explained by occurence of the surface intermixing effect between Sb and Ce atoms (build-in of Sb atom into the Ge lattice).
Keywords: Sb, Ge(100), adsorption, work function, band bending, surface states, intermixing.
Методами електронної спектроскопії досліджено зміну електронних властивостей (робото виходу . загин зон поблизу поверхні, густина електронних станів поблизу рівня Фермі) поверхні Се(100)-(2х1) при адсорбції на ній атомів Sb. Показано, що на початкових стадіях адсорбції атомів Sb на поверхніСе(100)-(2х1) (Оsb < 0.5ML)[подано формулу] та при відпалі поверхні Ge(100) з кількома моношарами Sb зміна загину зон та синхронне збільшення роботи виходу може бути пояснене проявом ефекту поверхневого змішування між атомами Sb та Се (вбудовуванням а&томів Sb в матрицю атомів Ge)
Ключові слова: Sb, Ge(100), адсорбція, робота виходу, загин зон, поверхневі стани, перемішування.
