Теоретично досліджено аномалії кутової залежності коефіцієнта поглинання ультразвуку у вироджених напівпровідниках з симетрією С[нижній індекс n[ню]], обумовлені особливостями локальної геометрії поверхонь Фермі. Показано, що експериментальне виявлення таких аномалій може виступати в якості методу визначення ступеня відхилення поверхні Фермі від еліпсоїдальної форми. Теоретичний аналіз ілюструється на прикладі Cd[нижній індекс 3]As[нижній індекс 2]. Усі чисельні розрахунки зроблено саме для нього.
З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека читачів не обслуговує.
