Експериментально показано, що пасивація поверхні кремнію одним моношаром сурми спричиняє насичення поверхневих обірваних зв"язків і робить поверхню інертною до окислення молекулярним киснем при комнатній температурі при малих експозиціях кисню. При експозиціях [більше або дорівнює] 10[верхній індекс 6] Л в оже-спектрах системи Sb/Si(001)+O[нижній індекс 2] реєструються оже-лінії окисленого кремнію, що свідчить про формування Si-O-Si структури. Експериментальні спостереження свідчать, що при великих експозиціях кисню можливе формування оксидів сурми.
