Методом хімічно-газового осадження алмазних плівок на мідні одержано бінари алмаз-мідь (C-Cu). Показано, що умовою існування ПК C-Cu є H/h[менше або дорівнює] 0,2, де H та h - товщини мідної та алмазної плівок відповідно. Електроопір ПК, впоперек шарів зменшується з ростом температури з енергіями активації (0,7-1,3-2,5) еВ, коли алмазні шари рентгеноаморфні, та з енергією активації 3,1 еВ, коли алмазні шари полікристалічні.