Експериментально досліжений вплив геометрії електричних контактів на характер темнової провідності високоомних монокристалів n-ZnSe. Виміряні вольт-амперні характеристики темнової провідності виявились подібними в усіх досліджуваних
геометріях контактів. Це дало змогу визначити коефіцієнт пoдібнocтi геометрії та розрахувати темнові концентрації вільних електронів користуючись класичними співвідношеннями та експериментальними даними, отриманими при зручній геометії.
Experimentally studied the іnfluence of the electrical contacts geometry on the nature of the dark conductivity of high-resistivity single crystals of n-ZnSe. Measured current-voltage characteristics of the dark conductivity were similar in all the studied geometries of contacts. This made it possible to determine the coefficient of geometries similarity and calculate the dark соncentration of free electrons using classical correlations and experimental data obtained in a convenient geometry.
