Саме так, на виклик часу, що пов’язаний з необхідністю і доцільністю розвитку електроніки, і був утворений в далекому і водночас близькому 1952-му році радіофізичний факультет. І надалі його розвиток полягав в динамічній, своєчасній і результативній роботі по задоволенню нових потреб суспільства. Це стосується, передусім, підготовлених за 55 років існування факультету понад 6000 висококваліфікованих фахівців у галузі радіофізики і електроніки. Зародження, становлення та міжнародне визнання наукових досягнень колективу призвело до утворення наукових шкіл, відомий високий рівень яких дозволяє віднести їх до загальнонаціональних надбань України.Для розв’язання широкомасштабних задач Постановами Уряду на факультеті створювались Проблемні науково-дослідні лабораторії (ПНДЛ); один з трьох перших спеціальних факультетів по перепідготовці фахівців за новими перспективними напрямками науки і техніки запрацював на факультеті1979-го року.

Факультет вперше в Україні розпочав підготовку студентів за трьома освітньо-кваліфікаційними рівнями: бакалавр, спеціаліст, магістр. Навчальний процес з першого дня заснування факультету нерозривно пов’язаний з науковою роботою. Саме це відповідає ключовій вимозі до підготовки фахівців у провідних університетах світу — в Україні встановилась їх назва як дослідницьких університетів.

Різноманітні форми проведення науково-навчального процесу, контролю знань студентів, організація їх самостійної роботи, тощо завжди були в центрі уваги колективу факультету, що дозволило задовольнити низку вимог Болонської Декларації у відповідності до інтеграційних науково-освітянських загальноєвропейських процесів.

Факультет завжди виконував і соціальну функцію. Студенти могли отримувати якісну вищу освіту як на стаціонарі, так і через вечірню форму навчання. А нині група викладачів, аспірантів і студентів ефективно працює над впровадженням в навчальний процес дистанційного навчання.

Здобутки колективу факультету обумовлені і широкою співпрацею з інститутами Національної Академії Наук України, галузевими науково-дослідними інститутами, конструкторськими бюро, науково-навчальними центрами країн Європи, Америки, Азії. Особливо слід відзначити плідну спільну роботу з факультетами рідного університету — біологічним, кібернетики, механіко-математичним, фізичним, хімічним, юридичним, соціології та психології, інститутами філології та журналістики.

Заснування факультету

Після закінчення другої світової війни Радянський Союз, в складі якого тоді перебувала Україна, довгий час знаходився в стані «холодної війни» зі своїми колишніми союзниками по антигітлерівській коаліції. Цей час вимагав підтримки і розвитку озброєнь на достатньому рівні, забезпечити який могли лише висококваліфіковані кадри, включаючи спеціалістів в галузі радіоелектроніки. Для підготовки таких фахівців у СРСР було створено 4 радіофізичних факультети, які вже 1953 р. зробили перші випуски кваліфікованих інженерів-дослідників (так називалися деякий час радіофізики). Один з таких факультетів було створено в Київському державному університеті ім. Т. Г. Шевченка.

Юридично організація факультету розпочалась на початку 1952 р. відповідними урядовими постановами, а його фактичне створення започатковано наказами ректора в лютому 1952 р. Базою нового факультету став фізичний факультет, який в той час очолював доц. Жмудський  О. З. З введенням посади заступника декана — ним було призначено ст. викл. Дерюгіна І. А., він безпосередньо і відповідав за організацію радіофізичного факультету.

Організовувати довелось, власне кажучи, все: навчальні і наукові лабораторії, педагогічний колектив і, найголовніше, здійснити набір студентів. Перед новим факультетом було поставлено завдання — зробити перший випуск спеціалістів-радіофізиків вже 1953 р. Для вирішення цієї задачі частину студентів старших курсів фізичного факультету перевели на радіофізичний. Окрім цього, для навчання на факультет було запрошено кращих студентів педагогічних інститутів України. Ці студенти створили колектив 2-го — 4-го курсів радіофізичного факультету.

Влітку 1952 р. було проведено набір студентів на перший курс, особливість якого полягала в тому, що офіційно набір проводився на фізичний факультет. І лише після двох місяців спільного навчання частині студентів було запропоновано оформити навчання на радіофізичному факультеті. Так тривало декілька років.

Всі ці особливості пов’язані з тим, що все, що стосувалось радіофізичного факультету було утаємниченим, як і він сам. Навіть спочатку відкрито не згадувалось про його існування. Вже пізніше, через 3-4 роки, режим таємності став слабкішим, і в університетській пресі почали говорити про факультет, але його офіційна назва не згадувалась. Факультет пов’язувався з прізвищем декана. Якщо, наприклад, університетська газета «За радянські кадри» в середині 1950-х років давала якусь інформацію про радіофізичний факультет, то це подавалось, як справи на факультеті, де деканом Карханін Ю. І. (саме він в цей час і був деканом). Одним з проявів державної зацікавленості була більш висока стипендія (в 2 рази) порівняно з іншими факультетами університету.

Навчальний процес на радіофізичному факультеті було організовано на базі кафедри електрофізики (пізніше — фізичної електроніки), якою на той час керував чл.-кор. АН УРСР, проф. Моргуліс Н. Д. До підготовки перших радіофізиків були залучені викладачі цієї кафедри Дерюгін І. А., Гуртовий  М. Є., сумісники Ляшенко  В. І. (Інститут фізики АН УРСР), Бова  Н. І., а також вчорашні студенти та аспіранти Городецький  Д. О., Левитський  С. М., Находкін М. Г., на яких лягло величезне навантаження по підготовці цілого ряду нових лекційних курсів, проведенні практичних занять, організації практикумів.

На першому етапі формування факультету досить непростою була організація наукових і навчальних лабораторій. Наказом ректора від 1 липня 1952 р. на базі кафедри електрофізики було створено 6  лабораторій радіофізичного факультету: надвисокочастотної електроніки і радіолокації, фізики вакууму, електронної спектроскопії і мікроскопії, фізики напівпровідників, електроніки, фізико-технічну експериментальну лабораторію.

Ці лабораторії стали основою для проведення навчальної і наукової роботи і створених на новому факультеті кафедр: електроніки (завідувач — проф. Моргуліс Н. Д.), радіофізики (завідувач — ст. викл. Дерюгін І. А.), напівпровідників (завідувач — проф. Лашкарьов  В. Є.), електрофізики (завідувач — доц. Карханін Ю. І.). Таємність не обійшла і назв кафедр. Усі вони відкрито називались лише присвоєними їм номерами: кафедра електрофізики мала перший номер, електроніки — другий, радіофізики — третій.

Для проведення організаційної, наукової та навчальної роботи, прийняття до захисту дипломних робіт наказом ректора від 9 серпня 1952 р. було створено закриту Вчену раду в складі: доц. Жмудський  О. З. — голова, ст. викл. Дерюгін І. А. — заступник голови, проф. Моргуліс Н. Д., проф. Давидов О. С. (в майбутньому — Герой Соціалістичної Праці, академік АН УРСР, Лауреат Ленінської Премії, Директор Інституту теоретичної фізики АН України), ст. викл. Чепур  Д. В. (в майбутньому — Ректор Ужгородського університету, організатор фізичної наукової школи в Закарпатті), доц. Карханін Ю. І., асист. Городецький  Д. О., асист. Ганюк  Л.  М., асист. Березняковський Є. М., проф. Герцрікен С. Д., асист. Майборода Є. Д. — члени ради.

В 50-х роках існувала велика кількість підприємств, які випускали радіоелектронну апаратуру, і науково-дослідних інститутів фізичного напрямку, що знаходились у Києві і його околицях. У цих організаціях працювало багато молоді, яка мала середню освіту, а з іншого боку відчувався гострий дефіцит інженерних і дослідницьких кадрів радіофізичного напрямку. Це обумовило необхідність створення вечірнього відділення на радіофізичному факультеті, яке було відкрито 1956 р.

Підготовка фахівців велась з трьох спеціальностей: фізичної електроніки, фізики напівпровідників і квантової радіофізики (на той час радіофізики) за програмами стаціонарного відділення. Оскільки денне та річне навчальне навантаження на вечірньому відділенні було меншим, ніж на стаціонарі, то термін навчання на вечірньому відділенні було збільшено до 6 років.

В складних умовах дефіциту викладацьких кадрів і навчальних площ щорічно вечірнє відділення факультету готувало 50 спеціалістів-радіофізиків. За роки існування вечірнього відділення (останній випуск відбувся 1995 р.), факультет отримував тільки позитивні відгуки на своїх випускників. Багато з них з часом отримали наукові ступені чи обійняли керівні посади державного рівня. Отже, функціонування вечірнього відділення зіграло важливу роль у вирішенні кадрових проблем у радіоелектронній галузі України взагалі, а Києва і області зокрема.

Таким чином, протягом 1952—53 навчального року факультет було фактично організовано, і наступний рік він розпочав самостійно. Заступника декана фізичного факультету Дерюгіна І. А. було призначено виконуючим обов’язки декана радіофізичного факультету. Завершувався нелегкий організаційний період. Третій навчальний рік вже розпочався під керівництвом нового декана Карханіна Ю. І., який керував факультетом в 1954—63 рр. Наступними деканами були: Конділенко І. І.— в 1963—72 рр., Находкін М. Г. — в 1972—90 рр., Третяк  О. В. — в 1990—92 рр., Мелков  Г. А. — в 1992—2002 рр. З 2002 р. факультет очолює Григорук  В. І.

Значний внесок в розвиток факультету зробили заступники декана з навчальної роботи Старостін П. Т., Находкін М. Г., Михайловський М. І., Бойко  Б. А., Куц  П. С. (обіймав цю посаду 28 років), Григорук  В. І. та з наукової роботи Мельник  П. В. (обіймав цю посаду 35 років), Горчинський  О. Д. Зараз заступниками декана є доц. Савенков  С. М. (з навчальної роботи), доц. Нетреба  А. В. (з наукової роботи), ас. Іванюта О. М. (з виховної роботи в гуртожитку) та доц. Нечипорук  О. Ю. (по роботі із студентами та міжнародних зв’язків).

Розвиток і досягнення факультету

Основним принципом навчального процесу на радіофізичному факультеті стало поєднання високої якості фундаментальної підготовки студентів у галузях фізики і, з іншого боку, математики та сучасної електроніки. Навчальний процес в науках, що швидко розвиваються — електроніці та обчислювальній техніці, має базуватись на знаннях сьогоднішнього дня, які можна отримати, лише поєднуючи навчання з науковими дослідженнями. Практично кожний рік, у відповідності до вимог науки та виробництва, до навчальних програм факультету включаються 2-3 нових спецкурси. Таким чином, виконуються два чинники, дві особливості навчального процесу — стабільність та динамічні зміни. Динамічність розвитку навчальних планів полягає не тільки в доповненні і зміні окремих дисциплін, на факультеті відкриваються і нові напрямки підготовки та відповідні кафедри: медичної радіофізики (1995 р.), напівпровідникової електроніки (1996 р.).

За 55 років існування радіофізичного факультету понад 6 тисяч фахівців отримали дипломи про вищу освіту. Нині на факультеті працює 85 викладачів, у тому числі 5 академіків НАН України, 27 професорів, 42 доценти, 19 лауреатів Державних премій України та СРСР.

Фінансування наукових досліджень і, в першу чергу, за рахунок госпдоговірної тематики дозволило обладнати навчальні лабораторії із загальних дисциплін та спеціальні практикуми.

Радіофізичний факультет першим в Україні перейшов на багатоступеневу систему підготовки спеціалістів і зараз готує бакалаврів (4 роки навчання), спеціалістів (5 років) та магістрів (6 років).

Основними досягненнями будь-якого факультету університету є успіхи його випускників. Є чим пишатися і радіофізичному факультету. Серед його випускників є академіки і член-кореспонденти Національної Академії Наук України, Академії Педагогічних Наук України, інших Академій, багато докторів і кандидатів фізико-математичних наук, лауреатів Державної премії в галузі науки і техніки, чимало випускників займало і продовжує займати високі посади на підприємствах, пов’язаних з електронікою. Разом з тим, значна кількість випускників факультету обрана депутатами Верховної Ради та місцевих рад, призначена міністрами та їх заступниками, створили і керують відомими приватними підприємствами різного профілю.

Факультет має свої традиції, наукові школи, добре обладнані лабораторії, досвідчених і молодих професорів та викладачів. Щорічно зростає конкурс на радіофізичний факультет. У тих, хто пов’язав своє життя з радіофізичним факультетом, багато планів.

На радіофізичному факультеті в навчальний процес широко впроваджуються комп’ютерні технології. Створено навчальний комп’ютерний центр з вільним і безкоштовним доступом до Інтернету студентів, викладачів і співробітників. Тут студенти молодших курсів вивчають сучасні мови програмування та методи обчислень, здобувають навички з комп’ютерної графіки, виконують лабораторні роботи з комп’ютерного моделювання процесів у радіоелектронних схемах. Такі класи функціонують і на спеціалізуючих кафедрах, де студенти старших курсів засвоюють методи мережевих технологій, автоматизації фізичних експериментів, проводять наукові дослідження.

Викладачами факультету розроблено програми комп’ютерного тестування, які використовуються для поточного контролю знань студентів, створено мультимедійні навчальні курси, електронні версії паперових підручників і посібників з багатьох дисциплін, електронні бібліотеки. Файли цих матеріалів зберігаються на факультетському сервері, і до них можуть звертатися всі студенти.

Майже в кожній лабораторії студенти мають можливість користуватися мережею Інтернет, отримуючи необхідну інформацію з вітчизняних та закордонних університетів, інших джерел. Студентами і викладачами створено WEB-сторінку факультету, через яку про факультет можна дізнатися з будь-якого комп’ютера земної кулі.

Студенти старших курсів, аспіранти та співробітники факультету можуть також безпосередньо працювати і в загальноуніверситетському обчислювальному центрі. Керівником цього центру є завідувач кафедри радіофізичного факультету Бойко  Ю. В., а більшість провідних співробітників центру — наші колишні випускники та студенти старших курсів.

Наукові дослідження вчених факультету концентруються навколо таких наукових напрямків, як: радіофізика; фізична, мікро-, нано- і квантова електроніка; фізика низькотемпературної плазми; напівпровідникова електроніка та структури на основі напівпровідників; медична радіофізика. Останні роки дослідження ведуться згідно з комплексними програмами: «Новітні та ресурсозберігаючі технології» (кер. — академік НАН України, проф. Находкін М. Г.), «Інформатизація суспільства» (кер. — академік АПН України, проф. Третяк  О. В.), «Матеріали і речовини» (кер. — академік НАН України, проф. Скопенко  В. В.) та «Здоров’я людини» (кер. — проф. Остапченко  Л. І.).

Колектив факультету є співвиконавцем програми Міністерства освіти і науки України «Дослідження адсорбційних, каталітичних та корозійних явищ на поверхні твердих тіл з метою розвитку наукових основ ресурсозберігаючих технологій», науковий керівник — академік НАН України, проф. Находкін М. Г.Починаючи з 1994 року ця тематика включена у спільну Російсько-Українську програму «Наноелектроніка», науковий керівник від України — академік Находкін М. Г., а з російськрої сторони — Лауреат Нобелевської Премії, академік Алфьоров  Ж. І.

Високий рівень наукових досліджень сприяв створенню на факультеті трьох ПНДЛ за постановами Державного комітету з науки і техніки СРСР та Ради міністрів УРСР: фізичної електроніки (1964 р.), фізики та техніки напівпровідників (1965 р.), квантової радіофізики (1969 р.). Такої кількості ПНДЛ не було на жодному факультеті університету.

Пізніше структури факультету було розширено і наказом ректора 1992 р. створено ряд нових наукових лабораторій: електронної спектроскопії, оптичної квантової електроніки, оптичної і мікрохвильової обробки інформації і теорії середовищ, автоматизації наукових досліджень.

В рамках цих програм основними напрямками досліджень є: наноелектроніка; процеси в низькотемпературній та запорошеній плазмі, взаємодія з плазмою електронних пучків; плазмохімія; процеси емісії заряджених частинок з поверхні твердих тіл; взаємодія заряджених частинок та електромагнітного випромінювання з поверхнею твердого тіла; генераційно-рекомбінаційні процеси у сильно легованих і варізонних напівпровідниках; рух носіїв заряду в напівпровідниках в умовах сильного відхилення від термодинамічної рівноваги; процеси адсорбції та каталітичні явища на поверхні твердих тіл. Фізичні властивості границі метал-напівпровідник і його використання в сучасній електроніці; часове і просторове управління лазерним випромінюванням; активні нелінійні середовища лазерної спектроскопії; когерентні і нелінійні електромагнітні процеси в оптичному, рентгенівському і гама-діапазоні; фізичні процеси у волоконно-оптичних лініях зв’язку; спін-хвильова електродинаміка і електроніка; надвисокочастотні інформаційні технології; високотемпературна надпровідність та використання у сучасних приладах обробки інформації; фізика поверхні та приповерхневих явищ, як основи діагностики та розвитку мікро- та наноелектроніки; фізичні основи використання різноманітних явищ для запису, обробки, накопичення та відтворення інформації; розробка нових радіофізичних методів для діагностики та лікування людей.

Особливо слід відзначити, що наукові дослідження на факультеті є водночас і фундаментальними, і прикладними. Ще однією характерною особливістю проведення наукової роботи є широке залучення до неї студентів, які навчаються на молодших курсах. Це відповідає суті вимог Болонського процесу: навчання через наукові дослідження.

Наукові школи

З першого дня існування факультету найбільша увага приділялася організації наукових досліджень, рівень яких мав відповідати сучасним світовим досягненням. Завдяки наполегливій роботі всього науково-викладацького колективу на факультеті склалися всесвітньовідомі наукові школи, які успішно діють і нині, примножуючи знання у відповідних галузях науки й техніки.

Найстарішою з них є школа фізичної електроніки та фізики поверхні. Вона є складовою частиною київської наукової школи фізичної електроніки, заснованої понад 70 років тому чл.-кор. АН УРСР, проф. Моргулісом Н. Д. в Інституті фізики АН УРСР та Київському університеті, де він почав працювати 1932 року.

Робота університетської школи фізичної електроніки ведеться у двох напрямах — емісійної електроніки і фізики низькотемпературної плазми. У довоєнні часи були проведені фундаментальні дослідження природи катодного розпорошення і фізики оксидного термокатода. У 50-ті рр. університет став одним з перших наукових закладів у країні, де розпочалися систематичні дослідження фізики і техніки надвисокого вакууму. За допомогою розробленої високовакуумної мас-спектрометричної методики було виконано цикл досліджень з фізики оксидного катоду і вивчені загальні закономірності кінетики випаровування кристалів хімічних речовин у вакуумі.

Тоді ж, вперше в СРСР, методом дифракції повільних електронів розпочалися дослідження структури плівок, адсорбованих на поверхні твердих тіл. Використовуючи цю методику, вивчено процеси утворення моноатомних плівок на гранях монокристалів тугоплавких металів і кремнію.

Розроблені методи спектроскопії твердого тіла і плівок дали можливість розв’язати проблеми вдосконалення технології виготовлення інтегральних мікросхем. Розв’язання фундаментальної задачі фізики взаємодії електронів із поверхнею твердих тіл дозволило створити основи кількісної електронної спектроскопії.

Широке визнання отримали дослідження процесів взаємодії електронів середніх енергій з твердим тілом, завдяки чому було визначено важливі характеристики кінетики руху електронів у ньому. На базі цих досліджень сформувався новий науковий напрям: вивчення процесів утворення прихованого електростатичного зображення при термопластичному записі інформації і його прикладні застосування.

Дослідження фізики низькотемпературної плазми первісно були пов’язані, головним чином, з проблемою безпосереднього перетворення теплової енергії в електричну за допомогою термоемісійних перетворювачів. Цей напрям був закладений у 1939—40 рр. при дослідженні дугового розряду в парах цезію та поновлений в 50-ті рр., що сприяло встановленню низки фізичних принципів, які лежать в основі термоемісійного методу перетворення енергії, і значною мірою сприяло впровадженню термоемісійних перетворювачів у практику.

Вивчення фізики низькотемпературної плазми включає дослідження з надвисокочастотних властивостей плазми, зокрема, пов’язаних із взаємодією електронних пучків з плазмою, розробкою НВЧ-методів діагностики плазми та взаємодією радіохвиль з плазмовими утвореннями у верхній атмосфері і космосі; експериментальні дослідження газових розрядів, зокрема, з метою їх застосування в плазмохімії та сучасних енергоефективних технологіях, а також комплексні дослідження різних типів дугового розряду в інтересах електротехнічних застосувань та електрозварювання; чисельне моделювання запорошеної плазми для керованого термоядерного синтезу та технологічних застосувань у сучасній електроніці.

За результатами виконаних наукових досліджень опубліковано 14 монографій.

Члени університетської школи фізичної електроніки захистили понад 40 кандидатських і 9 докторських дисертацій (Находкін М. Г., Левитський  С. М., Городецький  Д. О., Пікус Г. Я., Кувшинський  М. Г., Чутов  Ю. І., Анісімов І. О., Жовтянський  В. А., Черняк  В. Я.). Шість фахівців стали Лауреатами державних премій України у галузі науки і техніки (Находкін М. Г. та Кувшинський М. Г. — двічі, Нємцев В. А., Городецький  Д. О., Мельник  П. В., Воскобойніков О. М.). Керівником наукової школи сьогодні є Находкін М. Г.

Університетська наукова школа фізики напівпровідників є також частиною київської школи, яка виникла наприкінці 40-х років під керівництвом акад. АН УРСР, проф. Лашкарьова  В. Є. Її діяльність розпочалася після організації першої в Радянському Союзі кафедри фізики напівпровідників 1952 року.

На становлення університетської школи фізики напівпровідників великий вплив мало створення 1954 року наукової лабораторії, основним напрямом діяльності якої в перші роки існування були розробка та дослідження НВЧ-діодів. Засновником і науковим керівником лабораторії був Лашкарьов  В. Є. 1961 року вийшли постанови про створення ПНДЛ напівпровідників, а 1964 року її реорганізували у проблемну лабораторію фізики та техніки напівпровідників, що мала відділи напівпровідникових НВЧ-приладів і фотоелектричних приладів.

Наукові дослідження, що характеризують напрями роботи школи фізики напівпровідників, включають теоретичні та експериментальні вивчення зонної структури напівпровідників, енергетичних і рекомбінаційних характеристик домішкових і власних дефектів кристалічної ґратки та їх взаємодію; кінетичних явищ у напівпровідниковій плазмі; законів дрейфу; дифузії і рекомбінації нерівноважних носіїв у варизонних структурах.

При дослідженні фізичних властивостей твердих розчинів на основі сполук А3В5-А2В6 показана можливість значної зміни параметрів кристалічної ґратки та енергетичного спектра електронів твердих розчинів шляхом подвійного легування. Виявлено новий тип дрейфу електронно-діркової плазми в напівпровіднику, який зумовлено градієнтом рухливостей носіїв заряду, а також термічний градієнтно-дірковий домен, що виникає при неоднорідному джоулевому розігріві зразка; пінч-ефект в Gе, а також індуктивний імпеданс ударно-іонізованої плазми в InSb. Розвинуто теорію та запропоновано метод дослідження напівпровідників і діелектриків шляхом вимірювання холівського струму.

Теоретично передбачено та експериментально досліджено ряд нових ефектів, пов’язаних із власнодефектною провідністю і рівноважною самокомпенсацією провідності в напівпровідниках, процеси утворення й поведінки радіаційних і лазерних дефектів у них.

При дослідженні нерівноважної провідності в напівпровіднику з одночасною дією на нього постійного магнітного поля і резонансного НВЧ-випромінювання встановлена природа спін-залежного механізму електронних переходів у забороненій зоні кремнію. Передбачені й знайдені ефекти спін-залежного переносу струму в напівпровідниках і напівпровідникових структурах. Дослідження спін-залежної рекомбінації дали можливість розширити фундаментальні уявлення про специфіку рекомбінації в твердому тілі із складним спектром локалізованих станів. Побудовано квантову теорію спін-залежної рекомбінації у широкому діапазоні магнітних полів, проведено унікальні експериментальні дослідження у слабких магнітних полях.

Протягом багатьох років проводились дослідження фізичних основ роботи та застосуванням контактних багатошарових структур і, насамперед, контакту метал-напівпровідник з бар’єром Шотткі. У результаті досліджень теоретично та експериментально обґрунтована фізична модель реального контакту, в якій було враховано проміжок між металом і напівпровідником та поверхневі стани в контакті. На базі цієї моделі розвинута теорія реальних контактів у наближеннях як діодної, так і дифузійної теорії. Передбачено ряд нових фізичних ефектів, серед яких зміна вольтамперних характеристик з частотою, слабка залежність ємності від напруги, індуктивний характер реактивної складової повного опору, тощо.

На цій основі передбачено нові ефекти: виникнення від’ємної диференційної ємності контакту при струмовому порушенні функції розподілу носіїв заряду; від’ємного диференційного опору та температурної стабілізації струму при тунельно-резонансному проходженні струму; формування керованих хвиль зарядової густини тощо. Крім того, розроблені нові методики дослідження параметрів властивостей напівпровідників і напівпровідникових структур; сформульовані принципи визначення й прогнозування електрофізичних параметрів контактних структур, що працюють у заданих умовах.

Для вивчення поверхневих властивостей деяких напівпровідників застосовано комплекс методів, зокрема, відкрито метод люмінесцентного ефекту поля, метод струму Холла.

Проведені наукові дослідження узагальнені в 22-х монографіях.

Члени університетської школи фізики напівпровідників захистили понад 50 кандидатських і 13 докторських дисертацій (Стріха В. І., Добровольський  В. М., Пека  Г. П., Бродовий  В. А., Холодар  Г. А., Воробйов  Ю. В., Третяк  О. В., Шека  Д. І., Жаркіх Ю. С., Бузаньова Є. В., Ільченко В. В., Скришевський  В. А., Кузнєцов Г. В.). Серед вихованців школи 21 лауреат державних премій СРСР та УРСР, понад 20 академіків і член-кореспондентів НАН України та інших академій. Звання Лауреатів державних премій України в галузі науки і техніки отримали 7 вчених факультету (Стріха В. І., Добровольський  В. М. — двічі, Павлюк  С. П., Холодар  Г. А., Шека  Д. І., Пека  Г. П., Третяк  О. В.). Керівником наукової школи фізики напівпровідників сьогодні є Третяк  О. В.

Наукова школа з квантової радіофізики та функціональної електроніки виникла в 50-ті роки одночасно зі створенням радіофізичного факультету. Її засновником є Дерюгін І. А., один з організаторів і перших керівників факультету.

Напрями роботи школи пов’язані з дослідженням взаємодії НВЧ-випромінювання з магнітновпорядкованими кристалами та оптичного випромінювання з електро-, акусто- і магнітновпорядкованими середовищами.

Чимало наукових розробок школи мають світове значення. Зокрема, теоретично обґрунтовано та експериментально підтверджено ефект взаємодї спінових хвиль з парамагнітним кристалом і запропоновано мазер біжучої хвилі нового типу. Розроблений метод емісійної спектроскопії дав можливість вперше вивчити власне та вимушене електромагнітне випромінювання спінової системи магнетиків. Подальший розвиток досліджень сприяв створенню нового напряму радіофізики — спін-хвильової електроніки, що ґрунтується на електродинаміці анізотропних неоднорідних багатошарових структур і технології феритових плівок. Для вивчення всіх основних параметрів анізотропних феритових плівок створено відповідну теорію та розроблено оригінальну експериментальну методику радіоспектроскопії магнітостатичних спінових хвиль. Запропоновано та випробувано низку оригінальних приладів для обробки НВЧ-сигналів: фільтрів, мультиплексорів, ліній затримки, тощо.

Розроблено сучасні лазерні скануючі мікроскопи для отримання тривимірної інформації про досліджувані об’єкти. Вперше у світі розроблено трипроменевий лазерний диференційно-фазовий скануючий мікроскоп, за допомогою якого можна отримувати інформацію про рельєф поверхні з точністю до одного нанометра. Створено сучасні комп’ютерні системи для керування акустооптичними приладами, завдяки чому вдалося розробити лазерні проектори для відтворення інформації на великих екранах; створено прецизійний вимірювач сильних постійних струмів; оригінальні оптоелектронні елементи: канальні електрооптичні модулятори світла мікрохвильового діапазону на зв’язаних хвильоводах та магнітооптичні ізолятори; магнітооптичні брегівські комірки; розроблено універсальний оптичний спектрометр із рекордною роздільною здатністю.

Розроблено нові феромагнітні матеріали з підвищеним значенням порога нестабільності, які стали основою для створення приладів НВЧ високого рівня потужності. Створено перетворювачі триміліметрового діапазону хвиль з підвищеною селективністю на основі діелектричних хвильоводів і резонаторів; на базі плівок високотемпературних напівпровідників створено приймальний пристрій восьмиміліметрового діапазону довжин хвиль.

Розроблено та апробовано у клінічних випробуваннях спосіб поліхромної реконструкції магніторезонансних зображень. Розроблено новий спосіб ультразвукової діагностики паренхіматозних органів, який впроваджено в українському національному центрі радіаційної медицини АМН України.

Створено та апробовано алгоритм обробки інтроскопічних зображень і комп’ютерного планування лікування захворювань головного мозку та щитовидної залози.

За результатами цих досліджень опубліковано 9 монографій.

Члени школи радіофізики і функціональної електроніки захистили більше 50 кандидатських і 10 докторських дисертацій (Дерюгін І. А., Тронько  В. Д., Воронцов  В. І., Соломко  А. О., Данилов  В. В., Ляшенко  М. І., Мелков  Г. А., Висоцький  В. І., Зависляк І. В., Серга  О. О.). Троє вчених школи удостоєні звання лауреатів державних премій СРСР — Дерюгін І. А., Данилов  В. В., Ляшенко  М. І. Керівниками цієї наукової школи сьогодні є Мелков  Г. А. та Данилов В. В.

Наукову школу з нелінійної оптики започаткували роботи чл.-кор. АН УРСР, проф. Конділенка І. І. в 1940-ві рр. на фізичному факультеті. 1963 року, коли Конділенко І. І. та його учні стали співробітниками радіофізичного факультету і було створено кафедру молекулярної і радіоспектроскопії, розвиток школи отримав потужний імпульс. 1972 року, у зв’язку з потребами часу і значними науковими успіхами в галузі нелінійних оптичних процесів, ця кафедра була перетворена в кафедру нелінійної оптики.

Творчий колектив школи успішно виконав масштабний цикл фундаментальних досліджень з визначення природи діелектричних і електрооптичних властивостей кристалів та дифузійних мікрохвильоводів світла, з’ясуванні механізмів лінійного електрооптичного ефекту, дослідженні прояву внутрішньо- та міжмолекулярної взаємодії в рідинах, впливу ексітонних станів на спектри спонтанного комбінаційного розсіювання, закономірностей формування вимушеного та інверсного комбінаційного розсіювання, особливостей взаємодії фононів від будови кристалу, розробки та вдосконалення електрооптичних методів просторового і спектрального управління енергетичних, часових і спектральних характеристик випромінювання складних оптичних квантових генераторів, розробки та створення діючих макетів комбінаційних лідарів.

Розвиток теорії нелінійних поляризацій дав можливість визначити фізичні закономірності вимушеного і спонтанного комбінаційного розсіювання світла на об’ємних і поверхневих поляритонах і фононах у кристалах. Розроблено статистичний метод спектральної теорії помноження і змішування оптичних частот, вивчено ряд фізичних закономірностей детектування інфрачервоного випромінювання за допомогою його параметричного перетворення з підвищенням частоти.

Застосування цих теоретичних досліджень у поєднанні з методикою спектроскопії комбінаційного розсіювання світла сприяло створенню нового ефективного напряму лазерної спектроскопії — інфрачервоної люмінесценції. Розроблено методику розрахунку і чисельно досліджено конкретні фізичні закономірності нелінійно-оптичного перетворення частот всередині лазерного резонатора.

Проведено цикл досліджень структури хвильового фронту при вимушеному розсіюванні, а також встановлено, що при вимушеному температурному розсіюванні під кутом хвильовий фронт спряжено з хвильовим фронтом збуджуваної хвилі. Завдяки цьому запропоновано новий тип модулятора добротності лазерного резонатора — адаптивний модулятор добротності. Вивчено закономірності корекції хвильового фронту при його оберненні у волоконних світловодах на основі нелінійно-оптичних явищ. Встановлено характер взаємодії імпульсів (трансформацію їх параметрів) з оптичними хвилеводами. Досліджено особливості відновлення просторової і поляризаційної структури випромінювання, яке пройшло багатомодовий волоконний хвилевід.

При дослідженні за допомогою інфрачервоної спектроскопії були отримані унікальні кількісні дані з абсорбції і дисперсії показника заломлення, температурної поведінки ряду рідин, молекулярних та іонно-ковалентних кристалів, проведені широкі дослідження класичних коливальних спектрів домішкових молекулярних іонів у різних лужно-галоїдних кристалічних матрицях, визначена будова ближнього оточення та її вплив на резонансне розщеплення коливальних рівнів молекулярних утворень.

Результати досліджень узагальнено у 6-ти монографіях.

Члени наукової школи захистили понад 30 кандидатських та 12 докторських дисертацій (Конділенко І. І., Стрижевський  В. Л., Цященко  Ю. П., Обуховський  В. В., Коротков  П. А., Чепілко М. І., Григорук  В. І., Говорун  Д. М., Данчук  В. Д., Литвинов  Г. С., Овечко  В. С., Суходольський  А. В.). Двоє з них — Григорук  В. І. і Коротков  П. А. — удостоєні звання лауреатів Державної премії України в галузі науки і техніки.

Радіофізичний факультет сьогодні

Закладена при створенні факультету програма розвитку успішно виконується і в сучасних умовах. Це справедливо для всіх напрямків роботи колективу: навчального, наукового, методологічного, виховного. Так, за роки існування факультету його викладачі та співробітники захистили понад 300 кандидатських та 60 докторських дисертацій, опублікували більше 7000 статей, 70 монографій, 110 навчальних посібників та підручників, отримали майже 500 авторських свідоцтв на винаходи.

Наукові досягнення 23-х учених факультету відзначені державними преміями України та СРСР в галузі науки і техніки: Бар’яхтар  В. Г. (тричі), Воскобойніков О. М., Гай  Я. Г., Городецький  Д. О., Григорук  В. І., Данилов  В. В. (СРСР), Дерюгін І. А. (СРСР), Добровольський  В. М. (двічі), Коротков  П. А., Кувшинський  М. Г. (двічі), Калайда  О. Ф., Литовченко  В. Г., Ляшенко  М. І. (СРСР), Мельник  П. В., Находкін М. Г. (двічі), Наумовець  А. Г. (СРСР та України), Немцев  В. П., Пека  Г. П., Павлюк  С. П., Стріха В. І., Третяк  О. В., Холодар  Г. А., Шека  Д. І.

Лауреатами Премії Ради Міністрів СРСР стали Малютенко  В. К. та Погорілий С. Д., іменних Премій НАН України — Бар’яхтар В. Г. (тричі), Білоколос Є. Д., Добровольський  В. М., Коблянський  Ю. В., Мелков  Г. А., Литовченко  В. Г., Стрижевський  В. Л., Шека  Д. Д., звання «Заслужений діяч науки і техніки» отримали Бар’яхтар В. Г., Білоколос Є. Д., Лисенко  В. С., Литовченко  В. Г., Мелков  Г. А., Находкін М. Г., Наумовець  А. Г., Сальков  Е. А., Третяк  О. В.

Великим є список випускників факультету, які отримали Державну премію СРСР, УРСР, України в галузі науки і техніки за роботи, виконані в інших організаціях: Бугай  О. А., Гвоздецький  В. С., Добролеж  С. О., Калмановський  В. Г., Кравченко  В. Й., Корчевой  Ю. П., Кот  П. О., Лісітченко В. В., Литовченко  В. Г., Ляшенко  Л. В., Малютенко  В. К., Ораєвський В. М., Петров  Л. А., Погорілий А. М., Ракітін С. П., Романюк  Л. І., Снітко О. В., Смовж  А. К., Соскін М. С., Тхорик  Ю. В., Топчій Д. Г., Чайка  Г. Є., Шевчук  О. Б., Шейкман  М. К.

Дійсними членами Національної Академії наук України обрано випускників, викладачів та співробітників факультету Бар’яхтара В. Г., Бродина  М. С. (Лауреат Ленінської Премії), Давидова  О. С., Загороднього  А. Г., Костюка  П. Г., Корчевого  Ю. П., Лашкарьова  В. Є., Лисицю  М. П., Магуру І. С., Наумовця  А. Г., Находкіна М. Г., Ситенка  О. Г., Ситька  О. В., Яковкіна А. О., а член-кореспонтентами цієї Академії — Бублика  Б. М., Говоруна  Д. М., Конділенка І. І., Кривоглаза  М. О., Лисенка  В. С., Литовченка  В. Г., Моргуліса Н. Д., Назаренка  О. К., Нестеренка  Б. О., Одулова  С. Г., Погорілого А. М., Птушинського  Ю. Г., Рябченка  С. М., Сагача  В. Ф., Солошенка І. О., Соскіна М. С., Шейнкмана  М. К., Шпака  М. Т. Дійсним членом Національної Академії Педагогічних наук України є Третяк  О. В.

Звання «Заслужений професор Київського національного університету імені Тараса Шевченка» удостоєні Городецький  Д. О., Находкін М. Г., Левитський  С. М., а Лауреатами премії імені Тараса Шевченка нашого університету стали Григорук  В. І., Данилов  В. В., Зависляк І. В., Кільчицька С. С., Коротков  П. А., Кривошея  С. А., Мелков  Г. А., Мусатенко  Ю. В., Нечипорук  О. Ю., Савенков  С. М.

Вчені факультету традиційно підтримують тісні наукові зв’язки з вченими НАН України, підприємствами, що працюють в галузі радіофізики і електроніки. Це дало можливість залучати кошти і технічні можливості промислових підприємств для розвитку наукової і навчальної бази факультету. Наприклад, у 1986—92 рр. факультет щорічно отримував до 5-ти млн. крб. за рахунок виконання госпдоговірних робіт, що дозволяло підтримувати науково-технічну базу лабораторій на світовому рівні. В останній час бюджетне і госпдоговірне фінансування з врахуванням грантів з наукової тематики (УНТЦ, CRDF, INTAS, тощо) складає 3 млн. грн. щорічно.

На факультеті працює спеціалізована Рада із захисту докторських і кандидатських дисертацій за спеціальностями «Радіофізика», «Фізика напівпровідників і діелектриків», «Фізика плазми».

Факультет постійно бере участь у виставках, експонуючи результати своїх робіт, та виграє престижні гранти. Наукові студентські роботи щорічно відзначаються преміями і дипломами різноманітних конкурсів.

Особливо плідним для факультету виявилось встановлення і розвиток міжнародних наукових-навчальних зв’язків з провідними науково-освітянськими центрами США, Франції, Тайваню, Німеччини, Голландії, Великої Британії, Китаю та інших країн.Це дозволяє урізноманітнити форми навчання та проведення наукових досліджень, організувати взаємообмін у навчанні, стажуванні та викладацькій роботі.

Радіофізичний факультет є організатором Міжнародних наукових конференцій молодих вчених з прикладної фізики (з 2000-го р.) та з електроніки і прикладної фізики (з 2005-го р.), на яких із запрошеними лекціями виступають провідні українські та закордонні вчені, а також роблять оригінальні доповіді фахівці з різних країн світу на секційних засіданнях з таких напрямків: лазери, оптика та оптоелектроніка, магнетизм та надпровідність, фізика поверхні нано- та мікроелектроніка, фізика та електроніка напівпровідників і діелектриків, фізичні методи та інформаційні технології в медико-біологічних дослідженнях, фізика плазми, інформаційні технології в освіті та наукових дослідженнях, математичні проблеми прикладної фізики.

У 2000-му році на радіофізичному факультеті вперше було проведено фахові інтелектуальні змагання, які первісно отримали назву турніру молодих радіофізиків (за зразком відомих турнірів юних фізиків для школярів). Досвід проведення таких турнірів став основою для організації Всеукраїнських студентських турнірів фізиків, які відбуваються з 2003-го року відповідно до наказів Міністерства освіти і науки України.Перші два турніри були проведені на базі Одеського університету. Останніми роками студентські турніри фізиків проводяться на базі радіофізичного та фізичного факультетів нашого університету. Вони характеризуються стрімким зростанням кількості команд-учасників та їхнього професійного рівня. Останні турніри були відкритими — у них брали участь команди з Росії і Нідерландів. Приємно відзначити, що команди радіофізичного факультету досі були незмінними фіналістами турнірів та двічі виборювали звання переможців.

Кожного навчального року студентська армія першокурсників поповнюється абітурієнтами, які стали призерами Міжнародних та Всеукраїнських олімпіад з фізики, олімпіади з фізики, що проводить радіофізичний факультет, а також радіо-конкурсу«Знавці радіофізики»; серед першокурсників значну частину складають ті, хто закінчив школу із золотою чи срібною медаллю.

Значною подією в житті колективу є Днi факультету, які святкуються двічі на рік, і історія яких сягає понад три десятиріччя.7-го травня проводиться День Радіофізика, а в першу п’ятницю грудня — День Зимового Протистояння. Програма цих фестивалів передбачає спортивні змагання між студентами та викладачами, турнір молодих радіофізиків (професійне змагання майбутніх фахівців), парад гумористичних вiтань студентів всіх курсів (своєрідні театральні міні-вистави), веселу прес-конференцію найулюбленіших та найшанованіших викладачів, аукціон подарунків та сувенірів спонсорів, «капустяник» (рiзноманiтнi конкурси та забави), дискотеки, а також центральний захід свята — прем’єра вистави факультетського театру; тема спектаклю спеціально добирається до Дня факультету, а текст пишеться студентами та викладачами у віршованій формі. Останніми роками в програмі святкувань була й захоплююча прогулянка на трипалубному пароплаві по Дніпру. Окрім цього, випускаються спеціальні значки, футболки та інші рiзноманiтнi сувеніри з факультетською символікою, приміщення корпусу факультету святково прикрашається, малюються веселі плакати, серед яких — «великий» (розміром 5 × 6 метрів).

Хід свят фіксується на відеоапаратуру та зберігається в оргкомітеті, а ілюстрований звіт вміщується на WEB сторінці радіофізичного факультету в мережі Інтернет. Дні Радіофізика висвітлюються в пресі, на радіо та телебаченні, а також широко підтримуються спонсорами з колишніх випускників факультету. Зокрема, кращі студенти 1-х—4-х курсів нагороджуються іменними преміями Генерального спонсора — Акціонерного товариства «Обрій».

2003 року на факультеті створено Благодійний фонд «Радіофізик» (Голова Правління, Президент фонду Нечипорук  О. Ю., Голова Наглядової Ради фонду Григорук  В. І.). Мета діяльності Фонду — реалізація благодійних програм, проектів та окремих акцій, спрямованих на підтримку ініціатив викладачів, співробітників, студентів та випускників радіофізичного факультету (головним чином — покращення технічної бази навчального процесу та матеріальна підтримка обдарованої молоді). Фонд вже надав підтримку для реалізації цілої низки видавничих проектів — виданні праць Міжнародних наукових заходів, що відбуваються на факультеті, друкування навчально-методичної літератури, а також організації Днів факультету, тощо.

Зазвичай гуртожиток для студента — друга домівка. Саме тому 1974 року, згідно постанови Ради міністрів України, при університеті було створено студентське містечко, в якому сьогодні проживає майже половина всіх студентів університету (понад 9 тис. осіб). Окрім основного призначення, тут створено умови для надання послуг з харчування, медичного обслуговування, зв’язку, перукарні, ремонту одягу та взуття, бібліотеки, копіювально-множувальні та комп’ютерні класи, Інтернет, тощо.

Символічно, що гуртожиток радіофізиків має номер 1 (раніш студенти факультету мешкали у гуртожитках 7 (тепер 3) та 12), як в арифметичному порядку, так і фактичному стані речей. Неформальним підтвердженням цьому є те що, вже багато років підряд саме його виділяють для зйомок провідним телевізійним каналам для презентації умов проживання та дозвілля студентів в гуртожитках студмістечка.

Безпосередньо базовий гуртожиток факультету розташований за адресою: вул. Ломоносова,35, що за 10 хвилин ходи від корпусу факультету. Це п’ятиповерхова будівля з 146-ма житловими кімнатами. Він є будівлею блочного типу, кожен з житлових блоків є окремою роздільною двохкімнатною квартирою з невеликою вітальнею та санвузлом; в кімнаті площею 18 м² мешкає 3 студенти, а в кімнаті 12 м² — 2 студенти.

Гуртожиток знаходиться серед зелених насаджень, його 8 приміщень виділено для санітарно-побутового призначення, де можна зайнятися спортом на тренажерах в спортивному залі, пограти в настільний теніс або випрати, висушити особисті речі в спеціально обладнаних кімнатах. Зауважимо також, що мережу Інтернет студенти-радіофізики самостійно облаштували по всьому гуртожитку. На першому поверсі з окремими парадними входами розташовано комітет профспілок студентів університету та студентське кафе-їдальня, де студенти вдень можуть поїсти за помірними цінами, а ввечері розважитися, наприклад, потанцювати на майданчику для дискотек. Кафе стало улюбленим місцем для святкування невеличких подій не тільки загальноуніверситетського масштабу (день студента, посвята першого курсу, загальнодержавні свята, тощо), а й особистого характеру — день народження, спортивні перемоги, вручення диплому. В гуртожитку щорічно проживає більш ніж чотириста студентів-радіофізиків. Місця закріплюються за мешканцями на весь період навчання. Всім цим, окрім адміністрації гуртожитку, опікується і студентська рада.

Незалежні експерти регулярно проводять оцінку того, яке місце у рейтингу займає кожний з університетів світу. За критерій обираються результати основної — навчально-наукової діяльності вищого навчального закладу, досягнення його випускників у різноманітних галузях життя конкретної країни та світу в цілому. Київський національний університет імені Тараса Шевченка стабільно посідає згідно цих оцінок 1-ше місце серед університетів України.Значний внесок в це визнання зробив колектив радіофізичного факультету — одного з провідних факультетів Київського університету.