Добровольський Валентин Миколайович

1933 р.н., професор, Лауреат Державних премій України в галузі науки і техніки

Закінчив кафедру фізики напівпровідників Київського державного університету iм. Т.Г.Шевченка в 1956 р. Після закінчення університету залишився працювати на кафедрі, де пройшов шлях від асистента до професора. Кандидатську дисертацію захистив у 1962 р. “Исследование некоторых явлений переноса носителей тока в электрическом и магнитном полях” (науковий керівник проф. В.І.Ляшенко). В 1974 р. захистив докторську дисертацію “Перенос электронов и дырок в полупроводниковых системах с пространственно распределенными характеристиками ”. Зараз працює провідним науковим співробітником в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.

Читав курси лекцій: ”Методи дослідження напівпровідників”, ”Плазма твердих тіл”, ”Явища переносу електронів”, ”Фізика низькорозмiрних систем”, ”Сучасні наукові напрямки радіофізики”, ”Квантово-розмірні структури”, окремі лекції з курсу ”Актуальні проблеми радіофізики і електроніки”. Поставив лабораторні роботи в практикумах з фізики напівпровідників та напівпровідникових приладів.

Основний напрям наукової роботи – дослідження плазми напівпровідників, явища переносу електронів та дірок, мікро- та наноелектронні структури, розробка засобів збирання напівпровідникових приладів. В результаті виявлено клас сильних ефектів в електронно-дiрковiй плазмі, що обумовлені зміною рухливостей носіїв заряду, та подібних явищ у р-n переході; високочастотні коливання температури напівпровідника; ефекти, обумовлені перерозподілом плазми магнітним полем; нові ефекти у структурах метал-туннельно прозорий діелектрик-напівпровідник. Розвинув теорію плоского електричного поля в інверсійних каналах напівпровідників у присутності магнітного поля, запропонував нові датчики магнітного поля, побудував теорію польового транзистора, в якій враховано дрейфовий та дифузійний струми. Запропонований метод визначення знаку носіїв заряду, їх концентрації та рухливості (метод струму Хола) успішно використовують у фізиці поверхні та дослідженнях високоомних напівпровідників та діелектриків.

Під його керівництвом захищено 13 кандидатських дисертацій.

В 1966-78 рр. був Вченим секретарем Ради з науково-дослідної роботи студентів радіофізичного факультету. Він один з ініціаторів створення в університеті СКТБ “Тороїд” (1984 р.). Десять років був науковим керівником і головою НТР цього підрозділу.

Двічі Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки (1982 р. та 1997 р.), Лауреат премії ім. К.Д.Синельникова Національної академії наук України (1989 р.), академік (1993 р.) та Лауреат (1995 р.) Нагороди Ярослава Мудрого в галузі науки і техніки Академії наук Вищої школи України, Соросівський професор (1997 р.).

Є автором понад 190 наукових, методичних праць та винаходів, 1 підручника та 2 монографій. Деякі публікації за останні роки:

1. Dobrovolsky V.N. and Litovchenko V.G. Surface electronic transport phenomena in semiconductors // Clarendon Press, Oxford, 1991, p. 1- 220;
2. Dobrovolsky V.N. The planar photomagnetic effect in SOI structure and magnetosensor based on it // Microelectronic Engineering. 1997. Vol. 36, № 1-4, p. 133-136;
3. Dobrovolsky V.N. and Krolevets A.N. Theory of magnetic-field-sensitive metal-oxide-semiconductor field-effect transistors // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 85, № 3, p. 1956-1960;
4. Dobrovolsky V. , Rossokhaty V. and Cristoloveanu S. CONTUNT: Thin SOI Control Tunneling Transistor// Sol.-St. Electron. 2006. Vol. 50, p.754 - 757;
5. Dobrovolsky V. , Pavljuk S. , V. Rossokhaty and Cristoloveanu S. Silicon-on-Insulator Control Impact-Ionization-Avalanche Transistor // Appl. Phys. Let. 2006. Vol. 88, p. 073502 - 073504;
6. Dobrovolsky V. N. and Sizov F. F. THz semiconductor hot electron bolometer// Proc. SPIE 2006. Vol.  6120, p. 612009-612013.