Лашкарьов Вадим Євгенович

1903-74 рр., професор, завідувач кафедри, академік АН України

В 1924 р. закінчив Київський народний інститут. Аспірант, викладач Київської науково-дослідної кафедри фізики в 1924-1927 рр.; вже в ці роки він проявив себе талановитим експериментатором. У 1925 р. разом із Лінником В.П. розробив оригінальний метод визначення коефіцієнта заломлення рентгенівських променів. Брав участь у створенні Інституту фізики АН України, де в 1929-30 рр. завідував відділом рентгенофізики.

За запрошенням академіка Йоффе А.Ф .в 1930-35 рр. керував лабораторією Ленінградського Фізико-технічного інституту, одержав піонерські результати про розподіл у кристалах електронної густини, які узагальнив у монографії “Дифракция электронов”. У 1935 р. за ці дослідження йому був присуджений вчений ступінь доктора фізико-математичних наук без захисту дисертації. З 1939р. його наукова і педагогічна діяльність пов’язана з фізикою напівпровідників, АН України та Київським університетом. У 1939-60 рр. він керує відділом напівпровідників Інституту фізики АН України, а після створення на його базі Інституту напівпровідників (1960 р.) до 1970 р. працює його директором. За його ініціативою у 1956 р. було засновано “Український фізичний журнал”, і він став його Головним редактором. У 1945 р. обраний академіком АН України, у 1946-48рр. - Голова Відділу АН України. В 1944-52 рр. Лашкарьов В.Є. завідує кафедрою фізики Київського університету, а у 1952 р. створює першу в СРСР кафедру фізики напівпровідників, якою очолює до 1956 р.

Отримано принципові для фізики напівпровідників результати. Запропоновано метод термозонда, за допомогою якого виявлено p-n перехід у випрямлячах на закису міді (1941 р.), виявлено біполярну дифузію і дрейф електронів і дірок (1946). Ним побудована загальна теорія фотоЕРС у напівпровідниках (1948), відкрита інфрачервона люмінесценція закису міді, сверхлінійна фотопровідність сурм'янистого кадмію, виявлена об'ємна фотоЕРС у германії (1956 р.). У 1948 р. розпочато піонерські дослідження поверхневих явищ у напівпровідниках. Вивчено зміну поверхневої провідності і контактної різниці потенціалів при адсорбції на поверхні молекул газів. Виведене співвідношення, що зв'язує їх з поверхневим вигином зон і зарядом.

У зв'язку з розвитком напівпровідникової електроніки у 1950р. в Інституті напівпровідників і на кафедрі напівпровідників університету під йогол керівництвом почалися дослідження властивостей германію - у той час одного з основних матеріалів електроніки. У 1948-70 рр. ним і його співробітниками було виконано фундаментальні і багатогранні дослідження фотоелектричних явищ у напівпровідниках: механізмів генерації і рекомбінації носіїв заряду, фотолюмінесценції, взаємодії напівпровідників із потоками іонізуючих частинок. Удосконалено створені раніше серністо-срібні елементи, розроблено фотоопір на основі сульфіда, а також селеніда кадмію і створено (1954 р.) перші в країні монокристалічні резистори.