Скришевський Валерій Антонович

1955 р.н., професор

Закінчив з відзнакою фізичний факультет Київського університету в 1978 р. В 1978-81 рр. навчався в аспірантурі університету. В 1984 р. захистив кандидатську дисертацію “Оптичні властивості деяких домішок та дефектів структури в GaAs(Cr)” (наукові керівники - проф. Новиков М.М., проф. Вакуленко О.В.), а в 2001 р. - докторську дисертацію "Генераційно-рекомбінаційні процеси в гетероструктурах з тонкими шарами поруватого кремнію та оксиду кремнію".

Працював молодшим (1981-86 рр.), науковим (1986-88 рр.) та старшим науковим співробітником (1988-92 рр.), завідувачем сектору (1992-99 рр.), завідувачем Проблемної лабораторії (1999-2000 рр.), доцентом (2000-02 рр.), професором (з 2002 р.) кафедри напівпровідникової електроніки.

Викладає спеціальні курси "Оптичні та фотоелектричні явища", “Оптоелектроніка”, “Напівпровідникові сенсори” для студентів кафедри (бакалаври, спеціалісти, магістри) та нормативний лекційний курс “Актуальні проблеми радіофізики і електроніки” магістрам радіофізичного факультету, веде лабораторні роботи з циклу "Оптичні та фотоелектричні явища", наукові семінарські заняття із спеціалістами та магістрами кафедри.

Основні напрями наукових досліджень - нерівноважні процеси в багатошарових напівпровідникових гетероструктурах, фізико-хімічні властивості наноструктурованих напівпровідників, розробка напівпровідникових сенсорів (хімічних, радіаційних, біологічних), інших функціональних приладів електроніки на основі нанокристалічного кремнію.

Ним розроблено кремнієві сонячні елементи з дифузійно-розсіючими шарами поруватого кремнію, запропоновано та вдосконалено оптичні та фотоелектричні методи дослідження структурно-хімічних неоднорідностей в напівпровідникових гетеропереходах. Створено теорію роботи та експериментально досліджено хімічні сенсори на основі гетероструктур з тонкими шарами поруватого кремнію для детекції водню, вологи, воднево-вуглецевих сполук. Створено новий тип лічильників води і тепла, тверді накопичувачі водню на основі нанопоруватого кремнію для живлення малопотужної побутової апаратури.

Неодноразово запрошувався читати лекції та виступати з доповідями в університетах Німеччини, Франції, Іспанії, Словаччини. Мав відрядження як запрошений професор в Ecole Centrale, Ліон, Франція (1997, 2003, 2006 рр.), INSA, Ліон, Франція (1998 р.), Technical Univ., Мюнхен, Німеччина (2002 р.) та Hahn-Meitner Institute, Берлін, Німеччина (2004 р.).

Науковий керівник міжнародних грантів (ІНТАС, НАТО, УНТЦ) та проектів Міністерства освіти і науки України. Один учень захистив кандидатську дисертацію.

Веде значну громадську та науково-організаційну роботу. Член Наукової ради “Сенсори” при Президії НАН України та науково-технічної ради з пріоритетного напряму розвитку науки і техніки "Енергозберігаючі технології", член редакційної колегії “Вісника Київського університету, серія радіофізика та електроніка” та “Вісника Київського університету, серія фізико-математичні науки”, рецензент фахових наукових журналів “IEEE Sensors”, “УФЖ”. Член спецради із захисту докторських дисертацій, член оргкомітетів міжнародних конференцій з прикладної фізики та електроніки.

Опублікував більше ніж 200 наукових та науково-методичних праць. Серед них 4 авторських свідоцтва та патенти на винаходи, монографія, довідник та навчальний посібник:

• Скришевський В.А., Толстой В.П. Инфракрасная спектроскопия полупроводниковых структур.- Киев: Лыбидь, 1991.- 187 с.
• Tolstoy V.P., Chernyshova I.V., Skryshevsky V.A. Handbook of Infrared Spectroscopy of Ultrathin Films, Wiley, New York, 2003.- 710 р.
• Скришевський В.А. Фізичні основи напівпровідникових хімічних сенсорів.- Київ: ВПЦ “Київський університет”, 2006.- 190 с.