Бузанева Євгенія Вікторівна

провідний науковий співробітник

Здобула вищу освіту в Київському університеті на радіофізичному факультеті, який закінчила в 1959р. Захистила кандидатську дисертацію в 1971 р. по темі “Исследование и моделирование процесов в СВЧ диодах Шоттки” (науковий керівник проф. В.І.Стріха). В 1988р. захистила докторську дисертацію на тему “Электронные процессы в структурах металл-полупроводник с разными типами переходного слоя».

Після закінчення університету залишилась працювати в науково-дослідній лабораторії на кафедрі фізики напівпровідників, де пройшла шлях від інженера до провідного наукового співробітника.

Напрям наукової діяльності – дослідження електронної структури наноструктурованих напівпровідників, а також електричних та оптичних явищ у них, що пов’язані з розмірними ефектами. Визначена залежність електронної структури від розмірів нанокристалів у Si для наноструктурованого шару Si. Еспериментально виявлено електролюмінісценцію (514-640 нм) в структурах метал (Al)-наноструктурований Si, яка передбачена теоретично і зумовлена квантово-розмірними ефектами. Розвинута нанотехнологія, створені нові матеріали, які побудовані з наноблоків ДНК/фулерен C60, ДНК/вуглецеві нанотрубки, ДНК/наноSi, ДНК/нанооксиди перехідних металів. В таких самоасамбльованих шарах відкрито електронні і оптичні явища, що дозволяють створити нові елементи електронної пам’яті та перемикачів сенсорів випромінювання.

Результати, одержані в 1995-2001 рр., підсумовують дослідження, які підтримані Грантами УКНТ “Фундаментальні дослідження”, CRDF Американського національного фонду наукових досліджень (Grant VC1-338), EU ESPRIT Network of Excellence on the Physics and Technology of the Mesoscopic System (PHANTOMS)7360, EU ESPRIT Project, SBLED/NCO 977037 (Si based light emitting diodes).

Є автором 1 та співавтором 2 монографіїй, співавтором 187 наукових публікацій, була редактором двох книг NATO Series. Постійно керувала та керує практикою та випускними роботами студентів радіофізичного факультету.